制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 RoHS:符合RoHS 详细信息 商标:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:3-Phase 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V 集电极—射极饱和电压:2.25 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:100 nA 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:Econo 3 封装:Tray 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Screw Pd-功率耗散:385 W 工厂包装数量:10
