制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Hex 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:2 V 在25 C的连续集电极电流:22 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:65 W 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:EASY750 商标:Infineon Technologies 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Screw 工厂包装数量:8
