制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 RoHS:符合RoHS 详细信息 商标:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Screw 工厂包装数量:500
