制造商:Infineon 产品种类:IGBT 模块 产品:IGBT Silicon Modules 配置:IGBT-Inverter 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.45 V 在25 C的连续集电极电流:75 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:175 W 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:Module 商标:Infineon Technologies 栅极/发射极最大电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 工厂包装数量:24
