场效应管(MOSFET)IRFZ24NPBF IR

地区:广东 深圳
认证:

深圳市宏远芯能电子科技有限公司

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IRFZ24NPBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否RohsRENZHENG符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiN-channel MOSFET,IRFZ24N 17A 55V
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)71 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压55 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)17 A
zui大漏极电流 (ID)17 A
zui大漏源导通电阻0.07 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境zui大值45 W
zui大功率耗散 (Abs)45 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)68 A
RENZHENG状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的ZUI长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
型号/规格

IRFZ24NPBF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220AB

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征

大功率