场效应管(MOSFET)IRFZ24NPBF IR
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
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参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否RohsRENZHENG | 符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Descripti | N-channel MOSFET,IRFZ24N 17A 55V |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 71 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
zui小漏源击穿电压 | 55 V |
zui大漏极电流 (Abs) (ID) | 17 A |
zui大漏极电流 (ID) | 17 A |
zui大漏源导通电阻 | 0.07 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
zui高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 250 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
功耗环境zui大值 | 45 W |
zui大功率耗散 (Abs) | 45 W |
zui大脉冲漏极电流 (IDM) | 68 A |
RENZHENG状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的ZUI长时间 | 30 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRFZ24NPBF
IR
TO-220AB
普通型
直插式
散装
大功率