场效应管(MOSFET)IRF4468PbF IR

地区:广东 深圳
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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)195A
功率(Pd)520W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.6mΩ@10V,180A
阈值电压(Vgs(th)@Id)4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)540nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)19.86nF@50V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
  规格 FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 195A(Tc)
驱动电压(ZUI大 Rds On,ZUI小 Rds On) 10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(ZUI大值) 2.6 毫欧 @ 180A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(ZUI大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(ZUI大值) 540nC @ 10V
Vgs(ZUI大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(ZUI大值) 19860pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(ZUI大值) 520W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔


型号/规格

IRF4468PbF

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220AB

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征

大功率