场效应管N沟道SI4850EY-T1-E3 VISHAY/威世

地区:广东 深圳
认证:

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属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)6A
功率(Pd)1.7W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)22mΩ@6A,10V
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)27nC@10V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
型号/规格

SI4850EY-T1-E3

品牌/商标

VISHAY/威世

封装形式

SOP8

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率