SI7456DDP-T1-GE3 功率场效应晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1841352092
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
风险等级 1.78
YTEOL 5.92
雪崩能效等级(Eas) 11.2 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压 100 V
zui大漏极电流 (ID) 27.8 A
zui大漏源导通电阻 0.023 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-C5
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM) 70 A
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间 30
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)SI7456DDP-T1-GE3
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV SI7456DDP-T1-GE3
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)SI7456DDP-T1-GE3
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)SI7456DDP-T1-GE3
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。

型号/规格

SI7456DDP-T1-GE3

品牌/商标

VISHAY/威世

封装形式

PowerPAK-SO-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装