SI7456DDP-T1-GE3 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1841352092
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.78
YTEOL	5.92
雪崩能效等级（Eas）	11.2 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	100 V
zui大漏极电流 (ID)	27.8 A
zui大漏源导通电阻	0.023 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-C5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	70 A
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

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