IXFH42N50P2 功率场效应晶体管

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制造商:     IXYS     
产品种类:     MOSFET     
RoHS:      详细信息     
技术:     Si     
安装风格:     Through Hole     
封装 / 箱体:     TO-247-3     
晶体管极性:     N-Channel     
通道数量:     1 Channel     
Vds-漏源极击穿电压:     500 V     
Id-连续漏极电流:     42 A     
Rds On-漏源导通电阻:     145 mOhms     
Vgs - 栅极-源极电压:     - 30 V, %2B 30 V     
Vgs th-栅源极阈值电压:     2.5 V     
Qg-栅极电荷:     92 nC     
zui小工作温度:     - 55 C     
zui大工作温度:     %2B 150 C     
Pd-功率耗散:     830 W     
通道模式:     Enhancement     
商标名:     HiPerFET     
封装:     Tube     
商标:     IXYS     
配置:     Single     
产品类型:     MOSFET     
系列:     IXFH42N50     
工厂包装数量    30     
子类别:     MOSFETs     
晶体管类型:     1 N-Channel     
类型:     PolarP2 HiPerFET     
单位重量:     6 g
IXFH42N50P2

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Transferred
Objectid	1467218148
零件包装代码	TO-247
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	2.72
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	1400 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	500 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	42 A
zui大漏极电流 (ID)	42 A
zui大漏源导通电阻	0.145 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	830 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	126 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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