IAUA200N04S5N010 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8336836227
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F5
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.79
雪崩能效等级（Eas）	280 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	40 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	200 A
zui大漏极电流 (ID)	200 A
zui大漏源导通电阻	0.0012 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)	120 pF
JESD-30 代码	R-PSSO-F5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	3
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	175 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	167 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	800 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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