DMN3009SK3-13 功率场效应晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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参数名称 参数值
是否Rohsren证 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8272435139
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 104 weeks
风险等级 5.8
Samacsys Description MOSFET BVDSS: 25V-30V TO252 T&R 2.5K
Samacsys Manufacturer Diodes Inc.
其他特性 HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级(Eas) 55 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压 30 V
zui大漏极电流 (ID) 20 A
zui大漏源导通电阻 0.0055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM) 100 A
参考标准 AEC-Q101
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
DMN3009SK3-13

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)DMN3009SK3-13
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV DMN3009SK3-13
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)DMN3009SK3-13
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

DMN3009SK3-13

品牌/商标

DIODES(美台)

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

卷带编带包装