BSZ15DC02KDHXTMA1 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8302627522
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	1.79
Samacsys Description	INFINEON - BSZ15DC02KDHXTMA1 - Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 5.1 A, 0.041 ohm, TSDSON, Surface Mount
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2021-06-10 06:25:51
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	11 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (ID)	5.1 A
zui大漏源导通电阻	0.055 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

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