IRF7456TRPBF 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRF7456TRPBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	End Of Life
Objectid	8288859590
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	6.58
Samacsys Description	INFINEON - IRF7456TRPBF - MOSFET, N-CH, 20V, 16A, SOIC
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2021-02-23 06:27:18
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	250 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (ID)	16 A
zui大漏源导通电阻	0.0065 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MS-012AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	130 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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