SI3459BDV-T1-E3 小信号场效应晶体管

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1791523128
零件包装代码	TSOP
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.79
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	60 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	2.9 A
zui大漏极电流 (ID)	0.0022 A
zui大漏源导通电阻	0.216 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)	30 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	3.3 W
ren证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	Silver (Ag)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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