FDC6327C 小信号场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	FDC6327C
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	4001115557
包装说明	SUPERSOT-6
制造商包装代码	419BL
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	55 weeks
风险等级	1.08
Samacsys Description	FDC6327C, Dual N/P-channel MOSFET Transistor,, 6-Pin SuperSOT
Samacsys Manufacturer	onsemi
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	2.7 A
zui大漏极电流 (ID)	2.7 A
zui大漏源导通电阻	0.08 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	0.96 W
ren证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	TIN (SN)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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