TK16A55D 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	TK16A55D
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1058133767
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.79
雪崩能效等级（Eas）	528 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	550 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A
zui大漏极电流 (ID)	16 A
zui大漏源导通电阻	0.33 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	50 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	64 A
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。