IPB80N06S4-05 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IPB80N06S4-05
是否无铅	不含铅
是否Rohs ren证	符合
生命周期	Active
Objectid	2102660702
零件包装代码	D2PAK
包装说明	GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN
针数	4
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	5.78
雪崩能效等级（Eas）	152 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	60 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	80 A
zui大漏极电流 (ID)	80 A
zui大漏源导通电阻	0.0057 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	107 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	320 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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