FDD6796A 功率场效应晶体管

产品属性    属性值
制造商:     onsemi
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     SMD/SMT
封装 / 箱体:     TO-252-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     25 V
Id-连续漏极电流:     20 A
Rds On-漏源导通电阻:     5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:     -
Qg-栅极电荷:     -
zui小工作温度:     - 55 C
zui大工作温度:     %2B 175 C
Pd-功率耗散:     3.7 W
通道模式:     Enhancement
商标名:     PowerTrench
封装:     Reel
封装:     Cut Tape
封装:     MouseReel
商标:     onsemi / Fairchild
配置:     Single
下降时间:     4 ns
高度:     2.39 mm
长度:     6.73 mm
产品类型:     MOSFET
上升时间:     7 ns
系列:     FDD6796A
工厂包装数量    2500
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
典型关闭延迟时间:     19 ns
典型接通延迟时间:     8 ns
宽度:     6.22 mm
单位重量:     330 mg

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