FDD6796A 功率场效应晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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产品属性    属性值
制造商:     onsemi
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     SMD/SMT
封装 / 箱体:     TO-252-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     25 V
Id-连续漏极电流:     20 A
Rds On-漏源导通电阻:     5.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:     -
Qg-栅极电荷:     -
zui小工作温度:     - 55 C
zui大工作温度:     %2B 175 C
Pd-功率耗散:     3.7 W
通道模式:     Enhancement
商标名:     PowerTrench
封装:     Reel
封装:     Cut Tape
封装:     MouseReel
商标:     onsemi / Fairchild
配置:     Single
下降时间:     4 ns
高度:     2.39 mm
长度:     6.73 mm
产品类型:     MOSFET
上升时间:     7 ns
系列:     FDD6796A
工厂包装数量    2500
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
典型关闭延迟时间:     19 ns
典型接通延迟时间:     8 ns
宽度:     6.22 mm
单位重量:     330 mg

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FDD6796A
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV FDD6796A
精度:?0.05PF(A档) ?0.1PF(B档) ?0.25PF(C档) ?0.5%(D档)
?1%(F档) ?2%(G档) ?5%(J档) ?10%(K档)FDD6796A
?20%(M档) ?%2B80%-20%(Z档)FDD6796A
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

FDD6796A

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装