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产品属性
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参数名称
参数值
Source Content uid
IRFB4020PBF
是否Rohsren证
符合
生命周期
Active
Objectid
8006009555
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
52 weeks
风险等级
1.21
Samacsys Description
MOSFET MOSFT 200V 100mOhm 18A 18nC Qg for Aud
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2020-11-30 19:47:12
雪崩能效等级(Eas)
94 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压
200 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)
18 A
zui大漏极电流 (ID)
18 A
zui大漏源导通电阻
0.1 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码
TO-220AB
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度
175 ?C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)
100 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)
52 A
ren证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
公司还提供以下
封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)品牌:村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货
全系列电容均有现货,如有查不到请联系客服,竭诚为您服务。
IRFB4020PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装