SI2308BDS-T1-GE3 小信号场效应晶体管

参数名称	参数值
是否无铅	不含铅
是否Rohsren证	符合
生命周期	Not Recommended
Objectid	1998510588
零件包装代码	SOT-23
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
风险等级	6.36
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	60 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	2.3 A
zui大漏极电流 (ID)	1.9 A
zui大漏源导通电阻	0.156 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	1.66 W
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Powers
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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