FDMC6679AZ 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	FDMC6679AZ
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Not Recommended
Objectid	4001118208
包装说明	SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
制造商包装代码	511DH
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	66 weeks
风险等级	7.29
Samacsys Description	-30V P-Channel Power Trench? MOSFET
Samacsys Manufacturer	onsemi
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	30 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	51 A
zui大漏极电流 (ID)	11.5 A
zui大漏源导通电阻	0.01 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-N5
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	41 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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