IRF7314TRPBF 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRF7314TRPBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8006007839
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	0.86
Samacsys Description	IRF7314TRPBF Dual P-Channel MOSFET, 5.3 A, 20 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2020-11-30 19:47:12
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	150 mJ
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (ID)	5.3 A
zui大漏源导通电阻	0.058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MS-012AA
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	21 A
ren证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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