STF13N60M2 功率场效应晶体管

产品属性     属性值    
制造商:     STMicroelectronics     
产品种类:     MOSFET     
RoHS:      详细信息     
技术:     Si     
安装风格:     Through Hole     
封装 / 箱体:     TO-220-3     
晶体管极性:     N-Channel     
通道数量:     1 Channel     
Vds-漏源极击穿电压:     650 V     
Id-连续漏极电流:     11 A     
Rds On-漏源导通电阻:     380 mOhms     
Vgs - 栅极-源极电压:     - 25 V, %2B 25 V     
Vgs th-栅源极阈值电压:     3 V     
Qg-栅极电荷:     17 nC     
zui小工作温度:     - 55 C     
zui大工作温度:     %2B 150 C     
Pd-功率耗散:     25 W     
通道模式:     Enhancement     
商标名:     MDmesh     
封装:     Tube     
商标:     STMicroelectronics     
配置:     Single     
下降时间:     9.5 ns     
产品类型:     MOSFET     
上升时间:     10 ns     
系列:     STF13N60M2     
工厂包装数量    1000     
子类别:     MOSFETs     
晶体管类型:     1 N-Channel     
典型关闭延迟时间:     41 ns     
典型接通延迟时间:     11 ns     
单位重量:     2 g

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