TC6320K6-G 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	TC6320K6-G
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1155388656
包装说明	DFN-8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
Factory Lead Time	16 weeks
风险等级	1.25
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	200 V
zui大漏源导通电阻	7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
元件数量	2
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
ren证状态	Not Qualified
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	40
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

全系列电容均有现货，如有查不到请联系客服，竭诚为您服务。