ISO7321FCQDRQ1 小信号场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	NVTR0202PLT1G
Brand Name	ON Semiconductor
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	1344626157
包装说明	TO-236, 3 PIN
针数	3
制造商包装代码	318-08
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	Mainland China
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	32 weeks
风险等级	1.58
YTEOL	6.82
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	20 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	0.4 A
zui大漏极电流 (ID)	0.4 A
zui大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-236AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	0.225 W
参考标准	AEC-Q101
子类别	Other Transistors
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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