FQA18N50V2 功率场效应晶体管

产品属性    属性值
制造商:     onsemi
产品种类:     MOSFET
RoHS:      详细信息
技术:     Si
安装风格:     Through Hole
封装 / 箱体:     TO-3PN-3
晶体管极性:     N-Channel
通道数量:     1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:     500 V
Id-连续漏极电流:     20 A
Rds On-漏源导通电阻:     265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:     - 30 V, %2B 30 V
zui小工作温度:     - 55 C
zui大工作温度:     %2B 150 C
Pd-功率耗散:     277 W
通道模式:     Enhancement
封装:     Tube
商标:     onsemi / Fairchild
配置:     Single
下降时间:     110 ns
正向跨导 - zui小值:     16 S
高度:     20.1 mm
长度:     16.2 mm
产品类型:     MOSFET
上升时间:     150 ns
    30
子类别:     MOSFETs
晶体管类型:     1 N-Channel
类型:     MOSFET
典型关闭延迟时间:     95 ns
典型接通延迟时间:     40 ns
宽度:     5 mm
零件号别名:     FQA18N50V2_NL
单位重量:     4.600 g

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