CSD19502Q5B 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	CSD19502Q5B
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
生命周期	Active
Objectid	1390689774
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-N5
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
HTS代码	8541.29.00.95
风险等级	1.16
Samacsys Description	N-Channel, 3.4mOhm, 80V, SON5x6 NexFET? Power MOSFET, CSD19502Q5B
Samacsys Manufacturer	Texas Instruments
其他特性	AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）	274 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	80 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	100 A
zui大漏极电流 (ID)	17 A
zui大漏源导通电阻	0.0048 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
zui大反馈电容 (Crss)	22 pF
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	150 ?C
zui低工作温度	-55 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	195 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	400 A
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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