CSD13380F3 晶体管

类别

分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Texas Instruments

系列

FemtoFET™

包装

卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

12 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

3.6A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On）

1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻

76 毫欧 @ 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)

1.3V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)

1.2 nC @ 4.5 V

Vgs

8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)

156 pF @ 6 V

FET 功能

-

功率耗散

500mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

3-PICOSTAR

封装/外壳

3-XFDFN

基本产品编号

CSD13380

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）CSD13380F3
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV CSD13380F3
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）CSD13380F3
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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