STGWA40H65DFB 晶体管

类别

分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

制造商

STMicroelectronics

系列

HB

包装

管件
零件状态

在售

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（zui大值）

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（zui大值）

80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（zui大值）

2V @ 15V，40A

功率 - zui大值

283 W

开关能量

498?J（开），363?J（关）

输入类型

标准

栅极电荷

210 nC

25°C 时 Td（开/关）值

40ns/142ns

测试条件

400V，40A，5 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)

62 ns

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247 长引线

基本产品编号

STGWA40

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）STGWA40H65DFB
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV STGWA40H65DFB
精度：±0.05PF（A档） ±0.1PF（B档） ±0.25PF（C档） ±0.5%（D档）
±1%（F档） ±2%（G档） ±5%（J档） ±10%（K档）
±20%（M档） ±+80%-20%（Z档）STGWA40H65DFB
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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