IRFZ34NSTRLPBF 功率场效应晶体管

参数名称	参数值
Source Content uid	IRFZ34NSTRLPBF
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	8006013263
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	52 weeks
风险等级	0.83
Samacsys Description	INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - MOSFET, N-CH, 55V, 29A, TO-263
Samacsys Manufacturer	Infineon
Samacsys Modified On	2021-07-22 14:17:11
YTEOL	5.62
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	130 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	55 V
zui大漏极电流 (Abs) (ID)	29 A
zui大漏极电流 (ID)	29 A
zui大漏源导通电阻	0.04 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
zui高工作温度	175 ?C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大功率耗散 (Abs)	68 W
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
ren证状态	Not Qualified
子类别	FET General Purpose Power
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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