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MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR 全新原装 NAND FLASH 的技术参数:
制造商 | Micron Technology Inc. |
存储器类型 | 非易失 |
存储器格式 | 闪存 |
技术 | 闪存 - NAND |
存储容量 | 8Gb |
存储器组织 | 1G x 8 |
存储器接口 | 并联 |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 48-TSOP I |
基本产品编号 | MT29F8G08 |
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR 全新原装 NAND FLASH 的 描述:
Micron NAND Flash devices include an asynchronous data interface for high-perform-ance I/O operations. These devices use a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfercommands, address, and data. There are five control signals used to implement theasynchronous data interface: CE#, CLE, ALE, WE#, and RE#. Additional signals controlhardware write protection and monitor device status (R/B#).This hardware interface creates a low pin-count device with a standard pinout that re-mains the same from one density to another, enabling future upgrades to higher densi-ties with no board redesign.
美光NAND Flash设备包括一个用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用一个高度多路复用的8位总线(I/Ox)来传输命令、地址和数据。有5个控制信号用于实现异步数据接口: CE#、CLE、ALE、WE#和RE#。附加信号控制硬件写入保护和监控设备状态(R/B#)。这个硬件接口创建了一个低针计数的设备,带有一个标准的针形,从一个密度重新维护到另一个密度,使未来升级到更高的密度,而不重新设计板。
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR 全新原装 NAND FLASH
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
MICRON
23+
是
-40°C ~ 85°C(TA)
MT25QL01GBBB8ESF-0SIT TR 原装全新
AM29F010B-55JF 全新原装
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 原装 NAND FLASH
原装MT29F2G08ABAEAWP-IT:E NAND FLASH
FBNL74A61KSBABWP-12AL(PFB29)原装NAND FLASH
供应S34ML01G100BHI000 原装 NAND FLASH
原装H26M41208HPR NAND Flash供应
供应MT25QU512ABB8ESF-0SIT 全新原装 NAND FLASH
MT25QU01GBBB8E12-0SIT 全新原装 NAND FLASH
MT25QL256ABA1EW7-0SIT 全新原装 NAND FALSH