F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH

F50L1G41LB (2M) 3.3V 1 Gbit SPI-NAND Flash Memory

F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH 的技术参数：

制造商	ESMT
配置	SPI
速度	104MHz
封装	8-contact WSON（8x6mm）
工作电压	3.3V
产品类型	NAND Flash
类别	集成电路（IC）存储器
存储器容量	1GB

F50L1G41LB-104YG2M原装 NAND FLASH 的描述：

串行电气接口遵循行业标准串行外围接口（SPI），在引脚数必须保持（min）的系统中提供了一种经济高效的非易失性存储器存储解决方案。该设备是基于标准并行NAND闪存的1Gb SLC SPI-NAND闪存设备，但为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是SPI-NOR的替代品，与SPI-OR相比，具有优异的写入性能和每比特成本。

该命令集类似于普通SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定功能和新特性。新功能包括用户可选择的内部ECC。启用内部ECC后，当页面写入内存阵列时，会在内部生成ECC代码。ECC代码存储在每页的备用区域中。当一个页面被读取到缓存寄存器时，ECC代码将再次计算并与存储值进行比较。如有必要，将纠正错误。设备要么输出校正数据，要么返回ECC错误状态。