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产品属性
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H9HCNNNBPUMLHR-NMO 原装 LPDDR4
脚位/封装 |
FBGA-200 |
|
制造商 |
SK HYNIX/海力士 |
|
组织 |
1GX16 |
|
无铅/环保 |
无铅/环保 |
|
电压(伏) |
1.1 V |
|
温度规格 |
-40°C~+105°C |
|
速度 |
1866 MHz |
|
Dram Voltage |
1.1V/1.1V,LPDDR4 |
|
Nvm Option |
None |
|
Dram Density |
16Gb, QDP, 2Ch, 2CS |
|
Nvm Speed |
none |
|
Package Material |
Lead & Halogen Free |
|
Hynix Memory |
H |
|
Product Mode |
LPDDR4 Only |
|
Generation |
1s |
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H9HCNNNBPUMLHR-NMO
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FBGA
21+/22+
无铅/环保