H9HCNNNBPUMLHR-NMO 原装 LPDDR4

地区:广东 深圳
认证:

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H9HCNNNBPUMLHR-NMO 原装 LPDDR4

 

脚位/封装

FBGA-200

制造商

SK HYNIX/海力士

组织

1GX16

无铅/环保

无铅/环保

电压()

1.1 V

温度规格

-40°C~+105°C

速度

1866 MHz

Dram Voltage

1.1V/1.1V,LPDDR4

Nvm Option

None

Dram Density

16Gb, QDP, 2Ch, 2CS

Nvm Speed

none

Package Material

Lead & Halogen Free

Hynix Memory

H

Product Mode

LPDDR4 Only

Generation

1s

 

 

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型号

H9HCNNNBPUMLHR-NMO

制造商

SK Hynix /海力士

封装

FBGA

批次

21+/22+

无铅/环保

无铅/环保