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产品属性
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K4E8E324EB-AGCF 原装LPDDR3
K4E8E324EB-AGCF 原装 LPDDR3 的描述:
三星LPDDR3 (三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器)的高性能、超快速度和高能效已得到公认,它支持各种移动解决方案,从智能手机到物联网和可穿戴设备,不一而足。
1. 存储器密度更大,高达6GB,紧凑型封装:
先进的三星LPDDR3已在世界范围内被广泛采用,
它的密度得到进一步提高,并具备高性能的多任务处理功能
2. 实现高达1,866 Mbps的速度:
三星LPDDR3的性能在LPDDR2的基础上提升了20%
可提供更快的速度,从而为移动功能和应用提供更好的支持
3. 可延长电池寿命:
始终开启和始终连接的运行方式要求具备高效性能
三星的LPDDR3是一款卓越的产品,可延长电池寿命,而且功耗比上一代降低了10%
K4E8E324EB-AGCF 原装 LPDDR3的技术参数:
属性 |
参数值 |
产品类型 |
LPDDR3 SDRAM |
制造商 |
Samsung |
描述 |
8G, 8K/32ms |
组织 |
*32 |
工作电压 |
HSUL_12, 1.8V, 1.2V, 1.2V, 1.2V |
Generation |
3rd Generation |
速度 |
1.075ns@RL14, tRCD18ns, tRP18ns |
工作温度(度) |
-25 to 85 |
封装 |
FBGA |
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MT29F64G08CBABBWPR:B
KLMBG2JETD-B041
KLMAG1JETD-B041
KLM8G1GETF-B041
KLM4G1FETE-B041
K4E8E324EB-EGCF
K4E6E304EB-EGCF
K4E6E304EC-EGCG
K4B4G1646E-BCNB
K4A8G165WB-BCRC
K4E8E324EB-AGCF
SAMSUNG/三星
FBGA
21+/22+
无铅/环保