K4T1G164QE-HCE6存储芯片经销商

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K4T1G164QE-HCE6存储芯片经销商参数

制造商IC编号K4T1G164QE-HCE6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装fbga

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C + 85°C

的速度ddr2 - 667 - 333 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

应用程序/领导领导應用

MP3 / MP4 /里的球员

印刷电路板MANU. / PCB板製造商

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行8银行

第六代

电源正常电源

K4T1G164QE-HCE6存储芯片经销商相关信息

压敏爆裂可能的原因主要如下：

1、选用的允许电压或尺寸规格过低，压敏电阻过电压损坏；

2、电路中浪涌过大，或浪涌比较频繁，压敏电阻在多次浪涌冲击下疲劳损坏爆裂；

3、压敏电阻有缺陷，如可能是假冒伪劣产品等，有品质缺陷。

第一种劣化，表现在漏电流增大，压敏电压显著下降，直至为零。

第二种炸裂，若过电压引起的浪涌能量太大，超过了选的压敏电阻器极限的承受能力，则压敏电阻器在抑制过电压时将会发生陶瓷炸裂现象。

第三种穿孔，若过电压峰值特别高，导致压敏电阻器的失效模式绝大部分表现为劣化各穿孔（短路），解决的办法为在使用压敏电阻器时，与之串联一个合适的断路器或者保险丝，避免短路引起事故。

总结来说，压敏电阻在吸收突波时，发生崩溃电压降低时，将使其工作电流过大直至烧毁；发生爆裂（封装层裂开，引线与陶瓷体分离）时，将断路，从而使保护失效；发生此片短路时将使其烧毁。当压敏电阻的使用环境或者湿度过高时，将使其劣化（崩溃电压降低），从而使其工作电流过大直至烧毁或短路。当压敏电阻的使用电压超过额定工作电压时，将使其劣化（崩溃电压降低），从而使其工作电流过大直至烧毁或短路。