K4T51163QJ-BCE7p10闪存芯片

K4T51163QJ-BCE7p10闪存芯片主图

K4T51163QJ-BCE7p10闪存芯片描述

制造商IC编号K4T51163QJ-BCE7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装标准

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装

数量标准

外箱潜在应用LED APPLICATION/LED應用

Number Of Words32M

Bit Organizationx16

Density512M

Internal Banks4 Banks

Generation11th Generation

PowerNormal Power

K4T51163QJ-BCE7p10闪存芯片相关信息

标准电阻器用于保存电磁单位制中电阻单位欧姆的量值的标准量具。其特点是电阻值非常准确和稳定，常用作计量标准，或装在电测量仪器内作为标准电阻元件。

标准电阻器通常为10进制。其阻值范围一般为1毫欧至100千欧，特殊情况下也可做成更小或更大的量值，或非十进制量值。

标准电阻器的等级一般由各国计量部门制定的国家计量检定系统表和有关的国家标准所规定。中华人民共和国规定，作为计量标准用的标准电阻器，按其在计量检定系统表中的位置分为计量基准、计量标准和工作计量器具三档。按计量检定系统表的规定，较低档标准电阻器的量值由较高档传递。

直流电阻基准是最高档的标准电阻器，保存在国家计量技术机构，用于复现和保存法定电阻单位。为了提高电阻基准量值的稳定性，通常用多个同一标称值的标准电阻器组成基准组，取其电阻值的平均值作为所保存的该标称值的电阻量值。电阻基准组的年变化为10□量级。其电阻值的绝对值需用绝对测定的方法来确定（见电单位的绝对测定）。绝对测定的不确定度（参见电磁测量误差）为10□量级。