K4B2G1646C-HCKO三星闪存盘 价格优惠

K4B2G1646C-HCKO三星闪存盘主图

K4B2G1646C-HCKO三星闪存盘参数

制造商IC编号K4B2G1646C-HCKO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4B2G1646C-HCKO三星闪存盘相关信息

接地电阻就是用来衡量接地状态是否良好的一个重要参数，是电流由接地装置流入大地再经大地流向另一接地体或向远处扩散所遇到的电阻，它包括接地线和接地体本身的电阻、接地体与大地的电阻之间的接触电阻，以及两接地体之间大地的电阻或接地体到无限远处的大地电阻。接地电阻大小直接体现了电气装置与“地”接触的良好程度，也反映了接地网的规模。接地电阻的概念只适用于小型接地网；随着接地网占地面积的加大以及土壤电阻率的降低，接地阻抗中感性分量的作用越来越大，大型地网应采用接地阻抗设计。

对于高压和超高压变电所来说，应当用“接地阻抗”的概念取代“接地电阻”，同时建议规程采用接触电压和跨步电压作为安全判据；还应选用轻便、准确的异频测量系统获得接地阻抗的正确结果，以保障人身、设备的安全，利于电力系统的安全运行。

接地电阻肯定是越小越好，设备不同要求不同。

1、在1000v以下中性点直接接地系统中，接地电阻小于或等于4欧，重复接地电阻小于或等于10欧。

2、电压1000V以下的中性点不接地系统中，一般规定接地电阻为4欧。因此，根据实际安装经验，在路灯照明系统接地电阻应小于或等于4欧。单点接地通常用下面样式的仪器来测试接地电阻：

3、工作接地（接零保护）、保护接地：在380/220伏低压系统中，接地电流很小，一般不超过几安，所以规定接电阻不大于4欧姆，当容量在100千伏安以下时，接地电阻还可放宽至不大于10欧姆。

4、重复接地：按有关规定，中性点直接接地的低压电网中，在架空线路的干线和分支线的终端及沿线每一公里处零线应重复接地，每一重复接地电阻不应大于10欧姆；在工作接地电阻允许为10欧姆的场合，每一重复接地电阻应可不大于30欧姆，但重复接地不得小于3处。