H5TQ2G63DFR-PBC存储卡芯片

功能数量1

端子数量96

最大工作温度85 Cel

最小工作温度0.0 Cel

最大供电/工作电压1.58 V

最小供电/工作电压1.42 V

额定供电电压1.5 V

加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

状态EOL/LIFEBUY

工艺CMOS

包装形状矩形的

包装尺寸GRID 阵列, THIN PROFILE, FINE PITCH

表面贴装Yes

端子形式BALL

端子间距0.8000 mm

端子位置BOTTOM

包装材料塑料/环氧树脂

温度等级其他

内存宽度16

组织128M × 16

存储密度2.15E9 deg

操作模式同步

位数1.34E8 words

位数128M

存取方式多 BANK PAGE BURST

内存IC类型

双倍速率同步 动态随机存储器 动态随机存取存储器

端口数1

晶体三极管

晶体三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q17表示编号为17的三极管。

特点

晶体三极管(简称三极管)是内部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型两种类型，这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补，所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

场效应晶体管放大器

场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

场效应管与晶体管的比较

场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下应选用晶体管。

场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。

场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。