MT29F32G08AFABAWP:B芯片hy品质保证

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MT29F32G08AFABAWP:B芯片hy品质保证参数

制造商IC编号MT29F32G08AFABAWP:B

厂牌MICRON/美光

IC 类别FLASH-NAND

IC代码4GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP-48

外包装无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0 ~ 70 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

MT29F32G08AFABAWP:B芯片hy品质保证相关信息

国外消息人士称，芯片巨头英特尔可能将美国俄勒冈州希尔斯伯勒的D1X研究和制造工厂进行重大扩建，为大规模生产下一代7纳米计算机芯片做准备。新厂房面积与工厂前两个阶段的面积相同，为110万平方英尺。

本周一The Oregonian的报道引用匿名消息人士的话说，扩建将从今年夏天开始。去年12月英特尔表示，很快将在俄勒冈州、爱尔兰和以色列建设新的制造工厂。

英特尔副总裁、制造业务经理Ann Kelleher在本周一发表的一篇博客文章中表示：“工厂扩建将有助于我们更快地响应市场需求上涨，让我们能够将供应时间缩短大约60％。”

虽然英特尔的行政总部位于美国硅谷，但D1X是英特尔主要的研究中心，英特尔在这里设计自己的新一代计算机芯片技术。

英特尔目前正在努力完善一种称为极紫外光刻的新制造工艺，这将使微芯片能够在宽度小于0.1微米的电路线上进行蚀刻，使其比现在的芯片强大100倍。使用该技术的内存芯片将可以存储比现在多1000倍的信息。

因此，英特尔需要扩展其制造能力以实施新的工艺，并将用于打造新一代的7纳米芯片。英特尔此前曾表示，计划解决延迟了10纳米芯片开发的问题之后，立即开始研发7纳米芯片。预计10纳米芯片将于今年晚些时候推出。

对于一家暂时缺失执行官来拍板这一决定的公司来说，英特尔决定投资建造一个价值数十亿美元的新工厂的确是不同寻常的举动。

然而，由于竞争对手AMD已经完善了自己的7纳米工艺，并在本月早些时候CES消费电子展上宣布推出首款Radeon VII芯片，这些使得英特尔面临着加速发展的压力。