K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价

K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价主图

K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价参数

制造商IC编号K4T51163QG-BCF7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度133 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K4T51163QG-BCF7内存ddr4报价相关信息

各个厂家的电力电容器的使用寿命都是不同的，拿库克库伯并联电力电容器来说，使用寿命15年以上，这个数值是经过数万次的实验得出来的。

电力电容器是专门为用于补偿系统中而开发的，电网条件已经发生急剧变化，选择正确的电容器技术越来越重要。

电力电容器的使用寿命取决于以下因素：

过载情况下的连续工作时间

环境温度及相应的箱壳温度

最大有效电流及相应的箱壳温度

最大电压及其持续时间

各要素所计算出来的使用寿命是对标称工作条件而言，若需强调的因素少于以上IEC 60831所列出的参数，那么电容器具有较长使用寿命，相应的，当超过允许的参数时，寿命会缩短而故障率增加。

我们配电系统中的谐波负载在持续增长。在可预知的将来，可能只有组合电抗类型的补偿系统会适合使用。

很多供电公司已经规定只能安装带电抗的补偿系统。其它公司必须遵循他们的规定。如果一个用户决定继续使用无电抗的补偿系统，他起码应该选用更高额定电压的电容器。这种电容器能够耐受较高的谐波负载，但是不能避免谐振事故。