K4X1G163PE-FGC8ddr笔记本内存价格

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     K4X1G163PE-FGC8ddr笔记本内存价格参数

  制造商IC编号K4X1G163PE-FGC8

       厂牌SAMSUNG/三星

       IC 类别DDR1LP SDRAM-MOBILE

       IC代码64MX16 LPDDR1

脚位/封装fbga

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格25 C ~ + 85 C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

单词量64m

一些组织乘16

密度1g

内部银行4银行

第六代

功率低,i-TCSR & PASR & DS

压敏电阻它随着加在它上面的电压不断增大，它的电阻值可以从MΩ（兆欧）级变到mΩ（毫欧）级。 当电压较低时，压敏电阻工作于漏电流区，呈现很大的电阻，漏电流很小；当电压升高进入非线性区后，电流在相当大的范围内变化时，电压变化不大，呈现较好的限压特性；电压再升高，压敏电阻进入饱和区，呈现一个很小的线性电阻，由于电流很大，时间一长就会使压敏电阻过热烧毁甚至炸裂。

测量时将万用表置10k 档，表笔接于电阻两端，万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值，如果超出这个数值很大，则说明压敏电阻已损。

用万用表即可判断该压敏电阻的好坏。

将万用表置10k 档，表笔接于电阻两端，万用表上应显示出压敏电阻上标示的阻值，如果超出这个数值很大，则说明压敏电阻已经损坏。

压敏电阻随着加在它上面的电压不断增大，它的电阻值可以从MΩ（兆欧）级变到mΩ（毫欧）级。 当电压较低时，压敏电阻工作于漏电流区，呈现很大的电阻，漏电流很小；当电压升高进入非线性区后，电流在相当大的范围内变化时，电压变化不大，呈现较好的限压特性；电压再升高，压敏电阻进入饱和区，呈现一个很小的线性电阻，由于电流很大，时间一长就会使压敏电阻过热烧毁甚至炸裂。