K9F4G08U0E-SCB0ddr笔记本内存价格

K9F4G08U0E-SCB0ddr笔记本内存价格主图

K9F4G08U0E-SCB0ddr笔记本内存价格参数

制造商IC编号K9F4G08U0E-SCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码512MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用ROUTER网络/路由器製造商

K9F4G08U0E-SCB0ddr笔记本内存价格相关信息

存储行业暗流涌动，年内是涨是跌？

存储行业的日子不好过，价格下跌使产品利润空间萎缩，产品供应过剩使得不少厂商有着大量存活积压。在这样的背景之下，三星电子第二季度可能面临营业利润下降的危机。分析师称，随着供应过剩阶段在整体科技市场增长放缓的情况下难以得到缓解，三星的营业利润仍需要几个季度时间才能复苏。

根据 29 位行业分析师预测，三星第二季度营业利润将达到 6 万亿韩元，约合 51.4 亿美元，较上年同期的 14.9 万亿韩元下降 60%。三星将于本月晚些时候发布第二季度详细业绩，该公司股价在三个月内已经上涨了 5.3%。

此外，芯片销售是三星利润的主要来源，但智能手机的饱和和数据中心需求下滑已导致芯片价格下滑，这也对三星的利润产生了较大影响。

近日，虽然有消息曝光日本将在芯片原材料供应上制裁韩国，且这一举动或将使存储价格在未来有所反弹，但是专业分析师认为，DRAM 芯片价格不大可能在今年下半年反弹，原因在于三星等大厂上半年的库存仍然很多，无法在年内清理完，因此下半年价格反弹概率不大。

存储行业近来可谓是暗流涌动，争夺激烈，每天都有相关的新消息曝出。昨天还在讨论日本制裁韩国将导致存储芯片上涨，今天行业分析师就以库存为由否定了年内存储价格反弹的观点，作为普通小白的笔者来说，只能静静吃瓜了。