K4B2G0846D-HCH9存储芯片经销商

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K4B2G0846D-HCH9存储芯片经销商参数

制造商IC编号K4B2G0846D-HCH9

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码256MX8 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR3-1333

标准包装数量1280

标准外箱

潜在应用MODULE MAKER/模组內存厂商MODULE/FLASH CARD MAKER/記憶体/記憶卡製造商

K4B2G0846D-HCH9存储芯片经销商相关信息

闪存是一种非易失性存储器芯片，用于存储和在个人计算机（PC）和数字设备之间传输数据。它具有电子重编程和擦除的能力。它常见于 USB 闪存驱动器，MP3 播放器，数码相机和固态驱动器。

闪存是一种电子可擦除可编程只读存储器（EEPROM），但也可以是独立的存储器存储设备，例如 USB 驱动器。EEPROM 是一种使用电子设备擦除或写入数字数据的数据存储设备。闪存是一种独特类型的 EEPROM，可以用大块编程和擦除。

闪存结合使用浮栅晶体管来存储数据。浮栅晶体管或浮栅 MOSFET（FGMOS）类似于 MOSFET，MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。浮栅晶体管是电隔离的并且在直流（DC）中使用浮动节点。闪存类似于标准 MOFSET，除了晶体管有两个门而不是一个。

闪存最早于 1980 年推出，由东芝公司（TOSBF）的发明人兼中级工厂经理 Fujio Masuoka 博士开发。闪存是以能够在闪存中擦除数据块的能力命名的。“Masuoka 博士的目标是在电源关闭时创建一个保存数据的存储芯片.Masuoka 博士还发明了一种称为内存的存储器。 SAMOS 开发了 1Mb 动态随机存取存储器（DRAM）。1988 年，英特尔公司生产出第一款商用 NOR 型闪存芯片，取代了包含基本输入/输出操作的 PC 主板上的永久只读存储器（ROM）芯片。系统（BIOS）。