NT5CB128M16BP-CG手机闪存芯片大量供应

NT5CB128M16BP-CG手机闪存芯片大量供应主图

NT5CB128M16BP-CG手机闪存芯片大量供应参数

制造商IC编号NT5CB128M16BP-CG

厂牌NANYA/南亞

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

NT5CB128M16BP-CG手机闪存芯片大量供应相关信息

半导体世界报道：2019年11月25日，深康佳A公布，因业务发展需要，公司拟以公司的控股子公司康佳芯盈半导体科技(深圳)有限公司(公司持股56%)为主体投资建设存储芯片封装测试厂。

项目拟选址盐城市智能终端产业园；计划2020年底试生产，固定资产投资金额为5.01亿元。

经友好协商，盐城高新技术产业开发区管理委员会拟与公司签署投资协议，投资协议的主要内容如下：

项目内容：投资建设存储芯片封装测试厂，开展存储芯片的封装测试及销售。

项目规模：计划总投入10.82亿元，其中购买设备等投资约5亿元。

项目占地：占地100亩(以国土部门最终出让面积为准)。

该项目有利于公司加强在半导体领域的布局，促进公司半导体及相关业务的长远发展，可充分发挥公司产业和科研优势并充分利用盐城高新技术产业开发区资源和政策优势，进一步提高公司核心竞争能力和盈利能力。

康佳集团股份有限公司

前身广东省光明华侨电子工业有限公司,成立于1979年12月,1989年更名为"深圳康佳电子有限公司"。1991年8月始进行股份化改组，1991年12月至1992年3月发行公众股2650万股，内部职工365万股，特种股1000万股，1992年3月27日“深康佳A、B”股在深圳证券交易所上市交易。