K9K8G08U0D-SIB0笔记本1866内存

K9K8G08U0D-SIB0笔记本1866内存主图

K9K8G08U0D-SIB0笔记本1866内存参数

制造商IC编号K9K8G08U0D-SIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用ELEVATOR/ BUILDING AUTOMATION 電梯/樓宇自動化EMBEDED COMPUTER/SBC/嵌入式計算機/ 系統基礎芯片OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9K8G08U0D-SIB0笔记本1866内存相关信息

 11 月 8 日讯，无论是消费者对影音娱乐的需求还是企业对数据价值的挖掘，越来越多的数据需要借助存储芯片完成传输、存储，这也进一步刺激着存储芯片市场发展壮大，相关显示，2018 年全球存储芯片市场已占据半导体市场的 34.8%，而这一占比还将继续扩大，预计未来几年内将达到 4 成，甚至是半边天。

中国何时能赶上

由此可见，在半导体产业中，存储芯片无疑是最热门的一种分类。但这一千亿美元的市场，主要被美日韩三个国家占据，如在 DRAM 内存上，三星、SK 海力士和镁光三家占据着近乎 95%的市场。而在 NAND 上，三星、SK 海力士、镁光 / 英特尔、东芝、西数 / 闪迪也是消费者和企业的主流选择。

而中国是全球存储芯片最大的需求国之一，根据《存储芯片行业市场需求分析与投资前景预测》，2017 年我国进口存储芯片金额超过 700 亿美元，超过全球存储芯片营收的一半。

但在存储芯片上，中国的自给率却严重不足。目前能形成规模的，主要有三家，一是长江存储，二是兆易创新与合肥合作的合肥长鑫，三是联电与福建省合作的福建晋华。尽管三家企业已初具规模，但相比国际巨头仍有不少差距，以长江存储 NAND 存储为例，其研发的 64 层 NAND 刚刚宣布量产，而诸如三星、美光已着手投入 128 层 NAND 的量产。

因此，我们何时能看到美日韩垄断存储芯片的局面被打破？