K4T51163QG-HCE6可擦除芯片闪存

K4T51163QG-HCE6可擦除芯片闪存图

K4T51163QG-HCE6可擦除芯片闪存参数

制造商IC编号K4T51163QG-HCE6

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码32MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度DDR2-667-333 MHZ

标准包装数量1280

标准外箱

潜在应用FAX MACHINE MANU./ 傳真機製造商MP3 /MP4 /MP5 PLAYERPC TABLET & NOTEBOOK /PC平板和筆記本電腦

K4T51163QG-HCE6可擦除芯片闪存相关信息

压敏电阻的响应时间为ns级，比气体放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护其响应速度可以满足要求。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围，很多情况下不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。

压敏电阻有正负极吗？对应这个问题，有很多人在问，那到底压敏电阻有没极性呢？压敏电阻是一种无极性过电压保护元件，无论是交流电路或直流电路，只需将压敏电阻器与被保护电器设备或元器件并联即可达到保护设备。

压敏电阻保护电路不被高电压烧坏。当压敏电阻两端的电压打到压敏电阻的参数值，压敏电阻会由高阻值变为低阻值，把两端的电压降低，从而保护与其并联的其它元器件不被高电压烧坏的目的。所以压敏电阻没有正负之分的。