K4M513233C-DN75闪存存储阵列

K4M513233C-DN75闪存存储阵列主图

K4M513233C-DN75闪存存储阵列参数

制造商IC编号K4M513233C-DN75

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别SDRAM-MOBILE-LP

IC代码16MX32 LPSDRAM

脚位/封装FBGA-90

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)3.0v/3.3v

温度规格-25 C~+85 C(WIR速度133 MHZ

标准包装数量1120

标准外箱

潜在应用INDUSTRIAL ELECTRONICS/工業電子

K4M513233C-DN75闪存存储阵列相关信息

新的 LPDDR5 内存模块将在明年的 Galaxy S10 手持设备中亮相，它还将支持 5G 连接和改进的 AI 应用程序。三星声称，与目前的 LPDDR4 芯片相比，新芯片的速度提高了 50％，功耗降低了 30％。LPDDR5 芯片的批量生产应该在今年第三季度的某个时候开始。

上个月，三星表示其 LPDDR5 内存芯片将在 2018 年下半年进入量产阶段。现在，该公司刚刚向媒体通报了全球首款用于移动 5G 和 AI 应用的 8 Gb LPDDR5 模块的制造，功能测试和 JEDEC 验证。虽然三星已经在推动 LPDDR5 批量生产，但 JEDEC 本身并没有最终确定 DDR5 和 LPDDR5 的全部规格，但这应该会在今年晚些时候发布。

三星称，8 Gb LPDDR5 模块每个引脚的吞吐量为 6.4 Gbps，相比之下，32 位总线的带宽为 25.6 GB / s，而当前的 LPDDR4 性能则提升了 50％标准。LPDDR 内存芯片用于手持设备和超极本等移动设备，通常配备 64 位总线，因此带宽可以增加到 50 GB / s。另一方面，PC 系统支持 128 位总线，可以轻松转换为高达 100 GB / s 的带宽，但这将通过即将推出的 DDR5 模块实现。

新的 LPDDR5 标准还将电源要求降低了 30％，尽管三星未指定芯片的准确电压。三星提到新芯片支持改进的深度睡眠状态，消耗目前 LPDDR4 内存模块所需功率的一半。对于超极本等超低功耗设备，OEM 可以选择运行速度为 1.05 V 的 5.5 Gbps SKU。

LPDDR5 模块的批量生产预计将于今年第三季度开始，并且第一批配备它们的消费设备可以在假日季节推出。