K4T1G164QE-HCE7

地区:广东 深圳
认证:

深圳振华航空半导体有限公司

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制造商IC编号K4T1G164QE-HCE7

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别DDR2 SDRAM

IC代码64MX16 DDR2

脚位/封装FBGA

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.8 V

温度规格0°C to +85°C

速度800 MHZ

标准包装数量

标准外箱

潜在应用MP3 /MP4 /MP5 PLAYERPC BOARD MANU./PCB板製造商SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商


三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。

其中9012与8550为pnp型三极管,可以通用。

其中9013与8050为npn型三极管,可以通用。

区别引脚:三极管向着自己,引脚从左到右分别为ebc,原理图中有箭头的一端为e,与电阻相连的为b,另一个为c。箭头向里指为PNP(9012或8550),箭头向外指为NPN(9013或8050)。

①用指针式万用表判断基极 b 和三极管的类型:将万用表欧姆挡置 “R &TImes; 100” 或“R&TImes;lk” 处,先假设三极管的某极为“基极”,并把黑表笔接在假设的基极上,将红表笔先后接在其余两个极上,如果两次测得的电阻值都很小(或约为几百欧至几千欧 ),则假设的基极是正确的,且被测三极管为 NPN 型管;同上,如果两次测得的电阻值都很大( 约为几千欧至几十千欧 ), 则假设的基极是正确的,且被测三极管为 PNP 型管。如果两次测得的电阻值是一大一小,则原来假设的基极是错误的,这时必须重新假设另一电极为“基极”,再重复上述测试。

②判断集电极c和发射极e:仍将指针式万用表欧姆挡置 “R &TImes; 100”或“R &TImes; 1k” 处,以NPN管为例,把黑表笔接在假设的集电极c上,红表笔接到假设的发射极e上,并用手捏住b和c极 ( 不能使b、c直接接触 ), 通过人体 , 相当 b 、 C 之间接入偏置电阻 , 读出表头所示的阻值 , 然后将两表笔反接重测。若第一次测得的阻值比第二次小 , 说明原假设成立 , 因为 c 、 e 问电阻值小说明通过万用表的电流大 , 偏置正常。 

③用数字万用表测二极管的挡位也能检测三极管的PN结,可以很方便地确定三极管的好坏及类型,但要注意,与指针式万用表不同,数字式万用表红表笔为内部电池的正端。例:当把红表笔接在假设的基极上, 而将黑表笔先后接到其余两个极上, 如果表显示通〈硅管正向压降在 0.6V 左右 ), 则假设的基极是正确的 , 且被测三极管为 NPN 型管。

数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时 , 先确认晶体管类型 , 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。

型号/规格

K4T1G164QE-HCE7

品牌/商标

SAMSUNG

封装

FBGA84

批号

17+