K9KAG08U0M-PCK01600ddr3l笔记本内存

K9KAG08U0M-PCK01600ddr3l笔记本内存主图

K9KAG08U0M-PCK01600ddr3l笔记本内存参数

制造商IC编号K9KAG08U0M-PCK0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9KAG08U0M-PCK01600ddr3l笔记本内存相关信息

存储级存储器SCM能够如同NAND闪存一样保留其内容的能力，也能有像DRAM一样的的速度，这使得它最终将取代闪存作为首选的高速存储介质。由于闪存的固有设计，SCM在这块要好很多。性能问题和闪存延迟的最大原因之一是使用垃圾收集以满足新写入。将数据写入闪存驱动器时，无法覆盖旧信息。它必须在其他地方写入一个新数据块，并在磁盘I / O暂停时删除旧文件。基于NVMe/PCIe的字节寻址的非易失性存储打开了存储架构创新的新篇章。

SCM通常被用作扩展的Cache或者最高性能Tier的持久化存储。所以大多数情况下，SCM的定位是补充NAND的空缺，而不是取代NAND。HPE宣布将采用英特尔的Optane作为DRAM cache的扩展，从HPE 3Par 3D Cache的测试数据中可见，时延降低了50%，而IO提升了80%。SCM技术的目标及潜力都在于能弭平DRAM 与SSD 读写速度的鸿沟。理论上，现代资讯系统由于内装置性能的落差徒增不少功耗，资料往返所耗费的时间，成为整体性能的短板，所以在处理器与记忆体之间设有暂存器及快取等，而引入SCM 做为记忆体缓冲或SSD 快取，也都是为了解决这样的问题。

大体上SCM有两种用法：一种是用作缓存，一种是用作持久存储。①HPE把SCM用作缓存，从实现来看，这种方式的读写缓存实现起来相对比较简单。据说3PAR和Nimble的延迟能保持在300μs微秒以下，绝大部分的IO延迟能维持在200μs以下。HPE在3PAR里用了Optane当做缓存用，结果延迟比之前降低了两倍，还说比DELL EMC的用了NVMe SSD的PoweMAX还要快50%。②大部分的SCM现在都是用作缓存，跟HPE不一样，DELL EMC的PowerMAX是把SCM用作了存储层。PoweMAX用一个低延迟的NVMe - oF连接到服务器，因为有了SCM，所以数据访问会快一点 。在PowerMAX的实现中，每个端口都会被充分利用，每个端口有自己单独的队列，能处理更多IO，PowerMAX能分别为读、写和小的块请求、大的块请求，各种负载提供独立的队列。