K9F1208U0C-PIB0p10闪存芯片

K9F1208U0C-PIB0p10闪存芯片主图

K9F1208U0C-PIB0p10闪存芯片参数

制造商IC编号K9F1208U0C-PIB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码64MX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用MP3 /MP4 /MP5 PLAYEROEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

K9F1208U0C-PIB0p10闪存芯片相关信息

电子领域使用的陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。

随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。

用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合（包括高频在内）。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿 。

随着人们对电子设备的需求趋于平静，在笔记本电脑、手机、数码相机 （DSC） 等各种应用设备的电源电路方面，以前未引起重视的由电容器振动所产生的“啸叫”问题已成为设计方面的课题。

陶瓷电容器又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。传统的陶瓷电容器比传统的陶瓷材料拥有更低介电常数的材料并可降低电容器失真的类型，以及在电路板的端子板等部位翘起安装陶瓷电容器并对电路板振动传递进行抑制且装有金属端子的类型电容器，通过人耳确认啸叫程度来进行在0Hz～12.75kHz的频率范围内，通过使用电脑中的软件将矩形波的频率调整到电容器和电路板的共振频率上，从而产生啸叫现象，啸叫原理。